製品詳細
起源の場所: 米国
ブランド名: VISHAY
モデル番号: SI2302ADS-T1-E3
支払及び船積みの言葉
最小注文数量: 1
価格: 0.98-1.68/PC
パッケージの詳細: STANDRAD
受渡し時間: 2-5仕事日
支払条件: D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力: 1週あたりの10000PCS
製品カテゴリ: |
VISHAY |
シリーズ: |
SI2302ADS-T1-E3 |
様式の取付け: |
SMD/SMT |
パッケージ/場合: |
SOT-23 |
中心: |
AVR |
プログラム記憶容量: |
16 kb |
データ・バス幅: |
8ビット |
ADCの決断: |
10ビット |
最高のクロック周波数: |
16のMHz |
I/Osの数: |
54入力/出力 |
データRAMのサイズ: |
1 kb |
供給電圧-分: |
1.8 V |
最高供給電圧-: |
5.5 V |
最低の実用温度: |
- 40 C |
最高使用可能温度: |
+ 85 C |
包装: |
MouseReel |
ブランド: |
VISHAY |
データRAMのタイプ: |
SRAM |
データROMのサイズ: |
512 B |
製品カテゴリ: |
VISHAY |
シリーズ: |
SI2302ADS-T1-E3 |
様式の取付け: |
SMD/SMT |
パッケージ/場合: |
SOT-23 |
中心: |
AVR |
プログラム記憶容量: |
16 kb |
データ・バス幅: |
8ビット |
ADCの決断: |
10ビット |
最高のクロック周波数: |
16のMHz |
I/Osの数: |
54入力/出力 |
データRAMのサイズ: |
1 kb |
供給電圧-分: |
1.8 V |
最高供給電圧-: |
5.5 V |
最低の実用温度: |
- 40 C |
最高使用可能温度: |
+ 85 C |
包装: |
MouseReel |
ブランド: |
VISHAY |
データRAMのタイプ: |
SRAM |
データROMのサイズ: |
512 B |
プロダクトParamenters
部門
|
|
Mfr
|
|
シリーズ
|
-
|
プロダクト状態
|
時代遅れ
|
FETのタイプ
|
|
技術
|
MOSFET (金属酸化物)
|
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
|
|
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
|
|
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
|
2.5V、4.5V
|
(最高) @ ID、VgsのRds
|
60mOhm @ 3.6A、4.5V
|
Vgs ((最高) Th) @ ID
|
1.2V @ 50µA
|
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
|
10 NC @ 4.5ボルト
|
Vgs (最高)
|
±8V
|
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
|
300 pF @ 10ボルト
|
FETの特徴
|
-
|
電力損失(最高)
|
700mW (Ta)
|
実用温度
|
-55°C | 150°C (TJ)
|
タイプの取付け
|
|
製造者装置パッケージ
|
SOT-23-3 (TO-236)
|
パッケージ/場合
|
|
基礎プロダクト数
|
私達がのための送る細部のイメージ接触ことを見なさい
破片は半導体の部品および集積回路のための一般用語である。集積回路はある ICかマイクロチップとして参照される、ウエファー/破片。電子工学では、回路を小型化する方法、頻繁に 半導体ウエハーの表面で製造される。 私達の優越性:販売サービスの後の1.Superior質の2.On時間配達3.Best前に/ 多くあなたの照会をありがとう、最もよい価格を与えるために注意深く点検するために導いた。 私達は集積回路/電子工学の部品/Chips/ICの等専攻学生記憶/キャパシタンスである。 最もよい価格はこの区域の私達の10年以上経験のある特定のdepond。 シンセンQINGFENGYUANの技術CO.、株式会社。
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シンセンQINGFENGYUANの技術Co.、株式会社は2013年に確立された。それは大規模な専門家である
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デジタル集積回路、デジタル アナログの雑種の集積回路、無線周波数の電力増幅器、モジュール
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装置、自動車産業、産業オートメーション、テレコミュニケーションおよび家電
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郵送物の前の100%テスト
私達の長期パートナーおよび実質の評価
証明
LM2902KAVQPWRG4
|
SN74ACT08DR
|
TLC274BIDR
|
TMP451AQDQFRQ1
|
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|