製品詳細
起源の場所: MY;GUA
ブランド名: Original Brand
モデル番号: IRFB4110PBF
支払及び船積みの言葉
価格: $0.60/pieces 1-99 pieces
パッケージの詳細: スタンダード
供給の能力: 10000の部分/部分每の 週
タイプ: |
IGBTトランジスタ,トライオードトランジスタ,ICチップ |
動作温度: |
-55°C~175°C (TJ),スタンダード |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
記述: |
ヌル |
D/C: |
内部在庫 |
パッケージの種類: |
元のパッケージ |
適用する: |
標準的な電子製品 |
供給者の種類: |
ほか |
相互参照: |
ヌル |
利用できる媒体: |
ほか |
ブランド: |
MOSFET N-CH 100V 120A から 220AB |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
ヌル |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
ヌル |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
ヌル |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
ヌル |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
ヌル |
パワー最高: |
ヌル |
頻度-転移: |
ヌル |
パッケージ/ケース: |
TO-220-3 |
抵抗器-基盤（R1）: |
ヌル |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
ヌル |
FETのタイプ: |
N-Channel |
FETの特徴: |
ヌル |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
100V |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
120A （Tc） |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
4.5mOhm @ 75A、10V |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
4V @ 250A |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
210nC @ 10V |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
9620pF @ 50V |
頻度: |
ヌル |
現在の評価（Amps）: |
ヌル |
雑音指数: |
ヌル |
パワー出力: |
ヌル |
評価される電圧-: |
ヌル |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
10V |
Vgs （最高）: |
±20V |
IGBTのタイプ: |
ヌル |
構成: |
ヌル |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
ヌル |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
ヌル |
インプット: |
ヌル |
NTCのサーミスター: |
ヌル |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
ヌル |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
ヌル |
現在の下水管（ID最高） -: |
ヌル |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
ヌル |
抵抗- RDS （）: |
ヌル |
電圧: |
ヌル |
電圧-出力: |
ヌル |
電圧-オフセット（Vt）: |
ヌル |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
ヌル |
現在-谷（iv）: |
ヌル |
現在-ピーク: |
ヌル |
申請: |
ヌル |
トランジスター タイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
状態: |
原物100% |
品質: |
高品質 |
ROHS: |
はい |
支払い: |
TT \ウェスタン・ユニオン\もっと |
輸送する: |
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK ポスト\その他 |
梱包: |
立場のパッキング |
MOQ: |
1pcs |
価格: |
pls contact us |
港: |
シェンゼン |
タイプ: |
IGBTトランジスタ,トライオードトランジスタ,ICチップ |
動作温度: |
-55°C~175°C (TJ),スタンダード |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
記述: |
ヌル |
D/C: |
内部在庫 |
パッケージの種類: |
元のパッケージ |
適用する: |
標準的な電子製品 |
供給者の種類: |
ほか |
相互参照: |
ヌル |
利用できる媒体: |
ほか |
ブランド: |
MOSFET N-CH 100V 120A から 220AB |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
ヌル |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
ヌル |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
ヌル |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
ヌル |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
ヌル |
パワー最高: |
ヌル |
頻度-転移: |
ヌル |
パッケージ/ケース: |
TO-220-3 |
抵抗器-基盤（R1）: |
ヌル |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
ヌル |
FETのタイプ: |
N-Channel |
FETの特徴: |
ヌル |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
100V |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
120A （Tc） |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
4.5mOhm @ 75A、10V |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
4V @ 250A |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
210nC @ 10V |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
9620pF @ 50V |
頻度: |
ヌル |
現在の評価（Amps）: |
ヌル |
雑音指数: |
ヌル |
パワー出力: |
ヌル |
評価される電圧-: |
ヌル |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
10V |
Vgs （最高）: |
±20V |
IGBTのタイプ: |
ヌル |
構成: |
ヌル |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
ヌル |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
ヌル |
インプット: |
ヌル |
NTCのサーミスター: |
ヌル |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
ヌル |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
ヌル |
現在の下水管（ID最高） -: |
ヌル |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
ヌル |
抵抗- RDS （）: |
ヌル |
電圧: |
ヌル |
電圧-出力: |
ヌル |
電圧-オフセット（Vt）: |
ヌル |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
ヌル |
現在-谷（iv）: |
ヌル |
現在-ピーク: |
ヌル |
申請: |
ヌル |
トランジスター タイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
状態: |
原物100% |
品質: |
高品質 |
ROHS: |
はい |
支払い: |
TT \ウェスタン・ユニオン\もっと |
輸送する: |
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK ポスト\その他 |
梱包: |
立場のパッキング |
MOQ: |
1pcs |
価格: |
pls contact us |
港: |
シェンゼン |
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