製品詳細
起源の場所: 広東,中国
ブランド名: Original Brand
モデル番号: IRF5210
支払及び船積みの言葉
価格: $3.00/pieces 1-99 pieces
パッケージの詳細: standarパッケージ
供給の能力: 週に13000枚
タイプ: |
TO-220,ICチップ |
動作温度: |
-55°C ~ 175°C (TJ), -55°C ~ 175°C (TJ) |
マウントタイプ: |
穴をあけて 穴をあけて |
記述: |
トランジスタ 新品 |
D/C: |
- |
パッケージの種類: |
穴中 |
適用する: |
電子 |
供給者の種類: |
製造元 ODM 代理店 小売業者 |
相互参照: |
- |
利用できる媒体: |
データ用紙、写真 |
ブランド: |
MOSFET N-CH 55V 110A から 220AB |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
- |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
- |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
- |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
- |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
- |
パワー最高: |
- |
頻度-転移: |
- |
パッケージ/ケース: |
TO-220-3, TO-220-3 について |
抵抗器-基盤（R1）: |
- |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
- |
FETのタイプ: |
N-Channel |
FETの特徴: |
- |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
55V |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
110A （Tc） |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
8mOhm @ 62A, 10V, 8mOhm @ 62A, 10V |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
4V @ 250uA, 4V @ 250uA |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
146nC @ 10V, 146nC @ 10V |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
3247pF @ 25V, 3247pF @ 25V |
頻度: |
- |
現在の評価（Amps）: |
- |
雑音指数: |
- |
パワー出力: |
- |
評価される電圧-: |
- |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
10V |
Vgs （最高）: |
±20V, ±20V |
IGBTのタイプ: |
- |
構成: |
- |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
- |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
- |
インプット: |
- |
NTCのサーミスター: |
- |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
- |
現在の下水管（ID最高） -: |
- |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
- |
抵抗- RDS （）: |
- |
電圧: |
- |
電圧-出力: |
- |
電圧-オフセット（Vt）: |
- |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
- |
現在-谷（iv）: |
- |
現在-ピーク: |
- |
申請: |
- |
トランジスター タイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
製品名: |
IRF5210 |
無鉛状態: |
鉛のない |
プロダクト状態: |
ストック |
単価: |
私達に連絡しなさい! |
出荷の方法: |
FEDEX/UPS/DHL/TNT/EMS |
港: |
シェンゼン |
タイプ: |
TO-220,ICチップ |
動作温度: |
-55°C ~ 175°C (TJ), -55°C ~ 175°C (TJ) |
マウントタイプ: |
穴をあけて 穴をあけて |
記述: |
トランジスタ 新品 |
D/C: |
- |
パッケージの種類: |
穴中 |
適用する: |
電子 |
供給者の種類: |
製造元 ODM 代理店 小売業者 |
相互参照: |
- |
利用できる媒体: |
データ用紙、写真 |
ブランド: |
MOSFET N-CH 55V 110A から 220AB |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
- |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
- |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
- |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
- |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
- |
パワー最高: |
- |
頻度-転移: |
- |
パッケージ/ケース: |
TO-220-3, TO-220-3 について |
抵抗器-基盤（R1）: |
- |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
- |
FETのタイプ: |
N-Channel |
FETの特徴: |
- |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
55V |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
110A （Tc） |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
8mOhm @ 62A, 10V, 8mOhm @ 62A, 10V |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
4V @ 250uA, 4V @ 250uA |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
146nC @ 10V, 146nC @ 10V |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
3247pF @ 25V, 3247pF @ 25V |
頻度: |
- |
現在の評価（Amps）: |
- |
雑音指数: |
- |
パワー出力: |
- |
評価される電圧-: |
- |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
10V |
Vgs （最高）: |
±20V, ±20V |
IGBTのタイプ: |
- |
構成: |
- |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
- |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
- |
インプット: |
- |
NTCのサーミスター: |
- |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
- |
現在の下水管（ID最高） -: |
- |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
- |
抵抗- RDS （）: |
- |
電圧: |
- |
電圧-出力: |
- |
電圧-オフセット（Vt）: |
- |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
- |
現在-谷（iv）: |
- |
現在-ピーク: |
- |
申請: |
- |
トランジスター タイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
製品名: |
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無鉛状態: |
鉛のない |
プロダクト状態: |
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単価: |
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FEDEX/UPS/DHL/TNT/EMS |
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