DC22+
MOQ:1pc
パッケージ:標準
機能チップの範囲は広く,通信,画像処理,センサー制御,オーディオ処理,エネルギー管理など多くの異なるアプリケーション分野をカバーしています.
製品詳細
起源の場所: 広東,中国
ブランド名: original
モデル番号: IRF1405PBF
支払及び船積みの言葉
最小注文数量: 10個
価格: $0.63/pieces 10-99 pieces
パッケージの詳細: 帯電防止包装
供給の能力: 週に1000枚
種類: |
ICチップ,フィールド効果トランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ: |
/ |
Mounting Type: |
スルーホール |
記述: |
/ |
D/C: |
22歳以上 |
パッケージの種類: |
穴中 |
応用: |
irfトランジスタ |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
新しい |
入手可能なメディア: |
ほか |
ブランド: |
MOSFET P-CH 200V 11A から 220AB |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
、 |
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic: |
、 |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
、 |
パッケージ/ケース: |
TO-220-3 |
抵抗 - ベース (R1): |
、 |
レジスタ - エミッターベース (R2): |
、 |
FETタイプ: |
P-Channel |
FETの特徴: |
スタンダード |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
200V |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
11A (Tc) |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
500mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
4V @ 250UA |
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
1200pF@25V |
頻度: |
、 |
定位電流 (アンプ): |
、 |
騒音数: |
、 |
電力 - 輸出: |
、 |
定数電圧: |
、 |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): |
10V |
Vgs (最大): |
±20V |
IGBTタイプ: |
、 |
構成: |
/ |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
、 |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
、 |
インプット: |
、 |
NTC サーミストール: |
、 |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
、 |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
、 |
現在の下水管(ID最高) -: |
、 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
/ |
抵抗- RDS (): |
、 |
電圧: |
、 |
電圧 - 出力: |
、 |
電圧-オフセット(Vt): |
、 |
陽極漏出(Igao)に現在-ゲート: |
、 |
現在-谷(iv): |
、 |
現在-ピーク: |
、 |
申請: |
、 |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
種類: |
ICチップ,フィールド効果トランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ: |
/ |
Mounting Type: |
スルーホール |
記述: |
/ |
D/C: |
22歳以上 |
パッケージの種類: |
穴中 |
応用: |
irfトランジスタ |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
新しい |
入手可能なメディア: |
ほか |
ブランド: |
MOSFET P-CH 200V 11A から 220AB |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
、 |
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic: |
、 |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
、 |
パッケージ/ケース: |
TO-220-3 |
抵抗 - ベース (R1): |
、 |
レジスタ - エミッターベース (R2): |
、 |
FETタイプ: |
P-Channel |
FETの特徴: |
スタンダード |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
200V |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
11A (Tc) |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
500mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
4V @ 250UA |
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
1200pF@25V |
頻度: |
、 |
定位電流 (アンプ): |
、 |
騒音数: |
、 |
電力 - 輸出: |
、 |
定数電圧: |
、 |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): |
10V |
Vgs (最大): |
±20V |
IGBTタイプ: |
、 |
構成: |
/ |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
、 |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
、 |
インプット: |
、 |
NTC サーミストール: |
、 |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
、 |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
、 |
現在の下水管(ID最高) -: |
、 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
/ |
抵抗- RDS (): |
、 |
電圧: |
、 |
電圧 - 出力: |
、 |
電圧-オフセット(Vt): |
、 |
陽極漏出(Igao)に現在-ゲート: |
、 |
現在-谷(iv): |
、 |
現在-ピーク: |
、 |
申請: |
、 |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
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