製品詳細
起源の場所: 広東,中国
ブランド名: original
モデル番号: IRFB4110
支払及び船積みの言葉
最小注文数量: 10個
価格: $0.38/pieces >=10 pieces
パッケージの詳細: 帯電防止包装
供給の能力: 1000の部分/部分每の 週
タイプ: |
IC CHIP,トリオードトランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
NA |
シリーズ: |
スタンダード |
マウントタイプ: |
スタンダード |
記述: |
IRF4905PBF |
D/C: |
最も新しい |
パッケージの種類: |
穴中 |
適用する: |
MOSFET |
供給者の種類: |
ほか |
相互参照: |
NA |
利用できる媒体: |
データ用紙 |
ブランド: |
NA |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
NA |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
NA |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
NA |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
NA |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
NA |
パワー最高: |
NA |
頻度-転移: |
NA |
パッケージ/ケース: |
NA |
抵抗器-基盤（R1）: |
NA |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
NA |
FETのタイプ: |
NA |
FETの特徴: |
スタンダード |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
NA |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
NA |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
NA |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
NA |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
NA |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
NA |
頻度: |
NA |
現在の評価（Amps）: |
NA |
雑音指数: |
NA |
パワー出力: |
NA |
評価される電圧-: |
NA |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
NA |
Vgs （最高）: |
NA |
IGBTのタイプ: |
NA |
構成: |
スタンダード |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
NA |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
NA |
インプット: |
NA |
NTCのサーミスター: |
NA |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
NA |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
NA |
現在の下水管（ID最高） -: |
NA |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
NA |
抵抗- RDS （）: |
NA |
電圧: |
NA |
電圧-出力: |
NA |
電圧-オフセット（Vt）: |
NA |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
NA |
現在-谷（iv）: |
NA |
現在-ピーク: |
NA |
申請: |
NA |
トランジスター タイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
タイプ: |
IC CHIP,トリオードトランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
NA |
シリーズ: |
スタンダード |
マウントタイプ: |
スタンダード |
記述: |
IRF4905PBF |
D/C: |
最も新しい |
パッケージの種類: |
穴中 |
適用する: |
MOSFET |
供給者の種類: |
ほか |
相互参照: |
NA |
利用できる媒体: |
データ用紙 |
ブランド: |
NA |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
NA |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
NA |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
NA |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
NA |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
NA |
パワー最高: |
NA |
頻度-転移: |
NA |
パッケージ/ケース: |
NA |
抵抗器-基盤（R1）: |
NA |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
NA |
FETのタイプ: |
NA |
FETの特徴: |
スタンダード |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
NA |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
NA |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
NA |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
NA |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
NA |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
NA |
頻度: |
NA |
現在の評価（Amps）: |
NA |
雑音指数: |
NA |
パワー出力: |
NA |
評価される電圧-: |
NA |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
NA |
Vgs （最高）: |
NA |
IGBTのタイプ: |
NA |
構成: |
スタンダード |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
NA |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
NA |
インプット: |
NA |
NTCのサーミスター: |
NA |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
NA |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
NA |
現在の下水管（ID最高） -: |
NA |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
NA |
抵抗- RDS （）: |
NA |
電圧: |
NA |
電圧-出力: |
NA |
電圧-オフセット（Vt）: |
NA |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
NA |
現在-谷（iv）: |
NA |
現在-ピーク: |
NA |
申請: |
NA |
トランジスター タイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
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