DC22+
MOQ:1pc
パッケージ:標準
機能チップの範囲は広く,通信,画像処理,センサー制御,オーディオ処理,エネルギー管理など多くの異なるアプリケーション分野をカバーしています.
製品詳細
起源の場所: 広東,中国
ブランド名: original
モデル番号: 1N4448
支払及び船積みの言葉
最小注文数量: 10個
価格: $0.20/pieces 10-99 pieces
パッケージの詳細: 帯電防止包装
供給の能力: 週に10000枚
マウントタイプ: |
153821123 |
記述: |
デオード・ゲン・プルプ 100V 200MA DO35 |
タイプ: |
ICの破片 |
D/C: |
/ |
パッケージの種類: |
表面マウント |
適用する: |
ダイオード - 一般用途,電源,スイッチ |
供給者の種類: |
ほか |
利用できる媒体: |
ほか |
最高。前方電圧: |
/ |
最高。逆電圧: |
/ |
最高。前方流れ: |
/ |
最高。逆の流れ: |
/ |
ダイオードのタイプ: |
スタンダード |
テクノロジー: |
/ |
電圧-ピーク逆(最高): |
/ |
現在-調整される平均(Io): |
200mA |
前方電圧- ((最高) Vf) @: |
1V @ 100mA |
現在-逆の漏出@ Vr: |
5uA @ 75V |
パッケージ/ケース: |
DO-204AH、軸DO-35 |
ダイオード構成: |
/ |
電圧- DCの逆((最高) Vr): |
8327382 |
現在-調整される平均(Io) (ダイオードごとに): |
/ |
スピード: |
小信号 =<200mA (Io),任意の速度 |
逆の回復時間(trr): |
4NS |
キャパシタンス@ Vr、F: |
2pF @ 0V、1MHz |
現在-最高: |
/ |
抵抗@、F: |
/ |
電力損失(最高): |
/ |
キャパシタンス比率: |
/ |
容量比条件: |
/ |
構成: |
/ |
電圧- Zener (Nom) (Vz): |
/ |
許容性: |
/ |
阻力 (最大) (Zzt): |
/ |
プロダクト:: |
スイッチング・ダイオード |
回復時間:: |
4 ns |
前向きの電圧低下:: |
1.2 V |
最大電源消耗:: |
350 MW |
動作温度範囲:: |
-55°Cから+150°C |
港: |
シェンゼン |
マウントタイプ: |
153821123 |
記述: |
デオード・ゲン・プルプ 100V 200MA DO35 |
タイプ: |
ICの破片 |
D/C: |
/ |
パッケージの種類: |
表面マウント |
適用する: |
ダイオード - 一般用途,電源,スイッチ |
供給者の種類: |
ほか |
利用できる媒体: |
ほか |
最高。前方電圧: |
/ |
最高。逆電圧: |
/ |
最高。前方流れ: |
/ |
最高。逆の流れ: |
/ |
ダイオードのタイプ: |
スタンダード |
テクノロジー: |
/ |
電圧-ピーク逆(最高): |
/ |
現在-調整される平均(Io): |
200mA |
前方電圧- ((最高) Vf) @: |
1V @ 100mA |
現在-逆の漏出@ Vr: |
5uA @ 75V |
パッケージ/ケース: |
DO-204AH、軸DO-35 |
ダイオード構成: |
/ |
電圧- DCの逆((最高) Vr): |
8327382 |
現在-調整される平均(Io) (ダイオードごとに): |
/ |
スピード: |
小信号 =<200mA (Io),任意の速度 |
逆の回復時間(trr): |
4NS |
キャパシタンス@ Vr、F: |
2pF @ 0V、1MHz |
現在-最高: |
/ |
抵抗@、F: |
/ |
電力損失(最高): |
/ |
キャパシタンス比率: |
/ |
容量比条件: |
/ |
構成: |
/ |
電圧- Zener (Nom) (Vz): |
/ |
許容性: |
/ |
阻力 (最大) (Zzt): |
/ |
プロダクト:: |
スイッチング・ダイオード |
回復時間:: |
4 ns |
前向きの電圧低下:: |
1.2 V |
最大電源消耗:: |
350 MW |
動作温度範囲:: |
-55°Cから+150°C |
港: |
シェンゼン |
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