製品詳細
起源の場所: 広東,中国
ブランド名: original
モデル番号: AO3402
支払及び船積みの言葉
最小注文数量: 10個
価格: $1.00/pieces >=10 pieces
パッケージの詳細: 帯電防止包装
供給の能力: 10000の部分/部分每の 週
タイプ: |
他の,双極結合トランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
-55°C | 150°C （TJ） |
シリーズ: |
/ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
記述: |
/ |
D/C: |
/ |
パッケージの種類: |
表面マウント |
適用する: |
/ |
供給者の種類: |
ほか |
相互参照: |
スタンダード |
利用できる媒体: |
ほか |
ブランド: |
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23 |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
/ |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
/ |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
/ |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
/ |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
/ |
パワー最高: |
/ |
頻度-転移: |
/ |
パッケージ/ケース: |
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
抵抗器-基盤（R1）: |
/ |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
/ |
FETのタイプ: |
N-Channel |
FETの特徴: |
/ |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
30V |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
4A （Ta） |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
55mOhm @ 4A, 10V |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
1.4V @ 250UA |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
4.34nC @ 4.5V |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
390pF @ 15V |
頻度: |
/ |
現在の評価（Amps）: |
/ |
雑音指数: |
/ |
パワー出力: |
/ |
評価される電圧-: |
/ |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
2.5V、10V |
Vgs （最高）: |
±12V |
IGBTのタイプ: |
/ |
構成: |
NA |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
/ |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
/ |
インプット: |
/ |
NTCのサーミスター: |
/ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
/ |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
/ |
現在の下水管（ID最高） -: |
/ |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
/ |
抵抗- RDS （）: |
/ |
電圧: |
/ |
電圧-出力: |
/ |
電圧-オフセット（Vt）: |
/ |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
/ |
現在-谷（iv）: |
/ |
現在-ピーク: |
/ |
申請: |
/ |
トランジスター タイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
タイプ: |
他の,双極結合トランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
-55°C | 150°C （TJ） |
シリーズ: |
/ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
記述: |
/ |
D/C: |
/ |
パッケージの種類: |
表面マウント |
適用する: |
/ |
供給者の種類: |
ほか |
相互参照: |
スタンダード |
利用できる媒体: |
ほか |
ブランド: |
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23 |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
/ |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
/ |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
/ |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
/ |
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce: |
/ |
パワー最高: |
/ |
頻度-転移: |
/ |
パッケージ/ケース: |
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
抵抗器-基盤（R1）: |
/ |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
/ |
FETのタイプ: |
N-Channel |
FETの特徴: |
/ |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
30V |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
4A （Ta） |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
55mOhm @ 4A, 10V |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
1.4V @ 250UA |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
4.34nC @ 4.5V |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
390pF @ 15V |
頻度: |
/ |
現在の評価（Amps）: |
/ |
雑音指数: |
/ |
パワー出力: |
/ |
評価される電圧-: |
/ |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
2.5V、10V |
Vgs （最高）: |
±12V |
IGBTのタイプ: |
/ |
構成: |
NA |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
/ |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
/ |
インプット: |
/ |
NTCのサーミスター: |
/ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
/ |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
/ |
現在の下水管（ID最高） -: |
/ |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
/ |
抵抗- RDS （）: |
/ |
電圧: |
/ |
電圧-出力: |
/ |
電圧-オフセット（Vt）: |
/ |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
/ |
現在-谷（iv）: |
/ |
現在-ピーク: |
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申請: |
/ |
トランジスター タイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
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