製品詳細
起源の場所: 広東,中国
ブランド名: original
モデル番号: TSM950N10CW
支払及び船積みの言葉
最小注文数量: 100個
価格: $0.50/pieces >=100 pieces
パッケージの詳細: 、工場密封されたパッキング新しく、元、それはこれらの1のパック パッキング タイプである:管、皿、テープおよび巻き枠、テープおよび箱、バルク パッキング、袋および等。親切に私達に詳細については連絡する
供給の能力: 50000000の部分/部分每の 日
種類: |
MOSトランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ: |
/ |
Mounting Type: |
表面マウント |
記述: |
/ |
D/C: |
22歳以上 |
パッケージの種類: |
SOT-223-3 |
応用: |
ダイオード - 矯正器 |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
スタンダード |
入手可能なメディア: |
ほか |
ブランド: |
MOSFET SOT-223-3 |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
、 |
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic: |
、 |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
、 |
パッケージ/ケース: |
SOT-223 |
抵抗 - ベース (R1): |
、 |
レジスタ - エミッターベース (R2): |
、 |
FETの特徴: |
/ |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
、 |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
、 |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
、 |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
/ |
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: |
、 |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
、 |
頻度: |
、 |
定位電流 (アンプ): |
、 |
騒音数: |
、 |
電力 - 輸出: |
、 |
定数電圧: |
、 |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
4.5V,10V |
Vgs (最大): |
±20V |
IGBTタイプ: |
、 |
構成: |
/ |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
、 |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
、 |
インプット: |
、 |
NTC サーミストール: |
、 |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
、 |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
、 |
現在の下水管（ID最高） -: |
、 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
、 |
抵抗- RDS （）: |
、 |
電圧: |
、 |
電圧 - 出力: |
、 |
電圧-オフセット（Vt）: |
、 |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
、 |
現在-谷（iv）: |
、 |
現在-ピーク: |
、 |
申請: |
、 |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
種類: |
MOSトランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ: |
/ |
Mounting Type: |
表面マウント |
記述: |
/ |
D/C: |
22歳以上 |
パッケージの種類: |
SOT-223-3 |
応用: |
ダイオード - 矯正器 |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
スタンダード |
入手可能なメディア: |
ほか |
ブランド: |
MOSFET SOT-223-3 |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
、 |
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic: |
、 |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
、 |
パッケージ/ケース: |
SOT-223 |
抵抗 - ベース (R1): |
、 |
レジスタ - エミッターベース (R2): |
、 |
FETの特徴: |
/ |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
、 |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
、 |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
、 |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
/ |
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: |
、 |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
、 |
頻度: |
、 |
定位電流 (アンプ): |
、 |
騒音数: |
、 |
電力 - 輸出: |
、 |
定数電圧: |
、 |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
4.5V,10V |
Vgs (最大): |
±20V |
IGBTタイプ: |
、 |
構成: |
/ |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
、 |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
、 |
インプット: |
、 |
NTC サーミストール: |
、 |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
、 |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
、 |
現在の下水管（ID最高） -: |
、 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
、 |
抵抗- RDS （）: |
、 |
電圧: |
、 |
電圧 - 出力: |
、 |
電圧-オフセット（Vt）: |
、 |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
、 |
現在-谷（iv）: |
、 |
現在-ピーク: |
、 |
申請: |
、 |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
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