製品詳細
起源の場所: アンゴラ
ブランド名: original
モデル番号: rjp63k2
支払及び船積みの言葉
最小注文数量: 50個
価格: $0.28/pieces >=50 pieces
パッケージの詳細: ESD/真空/泡/カートン
供給の能力: 88888 パーツ/月
タイプ: |
MOSFET,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ: |
SCR 500V 12A TO220AB BT151-500R BT151 |
マウントタイプ: |
/、表面の台紙 |
記述: |
/ |
D/C: |
20+ |
パッケージの種類: |
表面マウント |
応用: |
- |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
スタンダード |
利用できる媒体: |
ほか |
ブランド: |
MOS |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
- |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
- |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
- |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
- |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
- |
パワー最高: |
- |
頻度-転移: |
- |
パッケージ/ケース: |
/ |
抵抗器-基盤（R1）: |
- |
レジスタ - エミッターベース (R2): |
- |
FETのタイプ: |
- |
FETの特徴: |
スタンダード |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
- |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
- |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
- |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
- |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
- |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
- |
頻度: |
- |
現在の評価（Amps）: |
- |
雑音指数: |
- |
パワー出力: |
- |
評価される電圧-: |
- |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
- |
Vgs (最大): |
- |
IGBTのタイプ: |
- |
構成: |
シングル |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
- |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
- |
インプット: |
- |
NTCのサーミスター: |
- |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
- |
現在の下水管（ID最高） -: |
- |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
- |
抵抗- RDS （）: |
- |
電圧: |
- |
電圧-出力: |
- |
電圧-オフセット（Vt）: |
- |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
- |
現在-谷（iv）: |
- |
現在-ピーク: |
- |
申請: |
- |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
梱包: |
リールボックス カートン |
港: |
シェンゼン |
タイプ: |
MOSFET,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
シリーズ: |
SCR 500V 12A TO220AB BT151-500R BT151 |
マウントタイプ: |
/、表面の台紙 |
記述: |
/ |
D/C: |
20+ |
パッケージの種類: |
表面マウント |
応用: |
- |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
スタンダード |
利用できる媒体: |
ほか |
ブランド: |
MOS |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
- |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
- |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
- |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
- |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
- |
パワー最高: |
- |
頻度-転移: |
- |
パッケージ/ケース: |
/ |
抵抗器-基盤（R1）: |
- |
レジスタ - エミッターベース (R2): |
- |
FETのタイプ: |
- |
FETの特徴: |
スタンダード |
流出させなさいに源の電圧（Vdss）: |
- |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
- |
（最高） @ ID、VgsのRds: |
- |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
- |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
- |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
- |
頻度: |
- |
現在の評価（Amps）: |
- |
雑音指数: |
- |
パワー出力: |
- |
評価される電圧-: |
- |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
- |
Vgs (最大): |
- |
IGBTのタイプ: |
- |
構成: |
シングル |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
- |
入力容量 (Cies) @ Vce: |
- |
インプット: |
- |
NTCのサーミスター: |
- |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
- |
現在の下水管（ID最高） -: |
- |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
- |
抵抗- RDS （）: |
- |
電圧: |
- |
電圧-出力: |
- |
電圧-オフセット（Vt）: |
- |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
- |
現在-谷（iv）: |
- |
現在-ピーク: |
- |
申請: |
- |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
梱包: |
リールボックス カートン |
港: |
シェンゼン |
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