製品詳細
起源の場所: 日本
ブランド名: original
モデル番号: ミルフ6s21100
支払及び船積みの言葉
価格: $20.00/pieces >=1 pieces
パッケージの詳細: マイクロ波RF電源トランジスタ HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100
供給の能力: 10000の部分/部分每の 週
種類: |
RFトランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
スタンダード |
シリーズ: |
スタンダード |
マウントタイプ: |
/、表面の台紙 |
記述: |
/ |
D/C: |
最新 |
パッケージの種類: |
表面マウント |
応用: |
高頻度 |
供給者の種類: |
代理店 小売業者 |
クロス参照: |
スタンダード |
利用できる媒体: |
データ用紙 |
ブランド: |
RF電源トランジスタ |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
スタンダード |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
スタンダード |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
スタンダード |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
スタンダード |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
スタンダード |
パワー最高: |
スタンダード |
頻度-転移: |
スタンダード |
パッケージ/ケース: |
スタンダード |
抵抗 - ベース (R1): |
スタンダード |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
スタンダード |
FETのタイプ: |
スタンダード |
FETの特徴: |
ショットキー ダイオード（隔離される） |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
スタンダード |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
スタンダード |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
スタンダード |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
スタンダード |
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: |
スタンダード |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
スタンダード |
頻度: |
スタンダード |
定位電流 (アンプ): |
スタンダード |
雑音指数: |
スタンダード |
電力 - 輸出: |
スタンダード |
定数電圧: |
スタンダード |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
スタンダード |
Vgs (最大): |
スタンダード |
IGBTタイプ: |
スタンダード |
構成: |
ハーフブリッジ |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
スタンダード |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
スタンダード |
インプット: |
スタンダード |
NTCのサーミスター: |
スタンダード |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
スタンダード |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
スタンダード |
現在の下水管（ID最高） -: |
スタンダード |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
スタンダード |
抵抗- RDS （）: |
スタンダード |
電圧: |
スタンダード |
電圧-出力: |
スタンダード |
電圧-オフセット（Vt）: |
スタンダード |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
スタンダード |
現在-谷（iv）: |
スタンダード |
現在-ピーク: |
スタンダード |
申請: |
PCB |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
状態: |
オリジナルと新しいMRF6S21100 |
港: |
SZ |
種類: |
RFトランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
スタンダード |
シリーズ: |
スタンダード |
マウントタイプ: |
/、表面の台紙 |
記述: |
/ |
D/C: |
最新 |
パッケージの種類: |
表面マウント |
応用: |
高頻度 |
供給者の種類: |
代理店 小売業者 |
クロス参照: |
スタンダード |
利用できる媒体: |
データ用紙 |
ブランド: |
RF電源トランジスタ |
電流 - コレクター (Ic) (最大): |
スタンダード |
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大): |
スタンダード |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
スタンダード |
電流 - コレクターの切断値 (最大): |
スタンダード |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
スタンダード |
パワー最高: |
スタンダード |
頻度-転移: |
スタンダード |
パッケージ/ケース: |
スタンダード |
抵抗 - ベース (R1): |
スタンダード |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
スタンダード |
FETのタイプ: |
スタンダード |
FETの特徴: |
ショットキー ダイオード（隔離される） |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
スタンダード |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: |
スタンダード |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
スタンダード |
Vgs （（最高） Th） @ ID: |
スタンダード |
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: |
スタンダード |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
スタンダード |
頻度: |
スタンダード |
定位電流 (アンプ): |
スタンダード |
雑音指数: |
スタンダード |
電力 - 輸出: |
スタンダード |
定数電圧: |
スタンダード |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
スタンダード |
Vgs (最大): |
スタンダード |
IGBTタイプ: |
スタンダード |
構成: |
ハーフブリッジ |
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic: |
スタンダード |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
スタンダード |
インプット: |
スタンダード |
NTCのサーミスター: |
スタンダード |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
スタンダード |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
スタンダード |
現在の下水管（ID最高） -: |
スタンダード |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
スタンダード |
抵抗- RDS （）: |
スタンダード |
電圧: |
スタンダード |
電圧-出力: |
スタンダード |
電圧-オフセット（Vt）: |
スタンダード |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
スタンダード |
現在-谷（iv）: |
スタンダード |
現在-ピーク: |
スタンダード |
申請: |
PCB |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
状態: |
オリジナルと新しいMRF6S21100 |
港: |
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