DC22+
MOQ:1pc
パッケージ:標準
機能チップの範囲は広く,通信,画像処理,センサー制御,オーディオ処理,エネルギー管理など多くの異なるアプリケーション分野をカバーしています.
製品詳細
起源の場所: 広東,中国
ブランド名: original
モデル番号: IRFB4110
支払及び船積みの言葉
最小注文数量: 10個
価格: $0.38/pieces 10-99 pieces
パッケージの詳細: 帯電防止包装
供給の能力: 1000の部分/部分每の 週
タイプ: |
IC CHIP,トリオードトランジスタ,IGBTトランジスタ,トリオードトランジスタ |
動作温度: |
NA |
シリーズ: |
標準 |
マウントタイプ: |
標準 |
記述: |
IRF4905PBF |
D/C: |
最も新しい |
パッケージの種類: |
穴中 |
適用する: |
MOSFET |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
NA |
入手可能なメディア: |
データ用紙 |
ブランド: |
NA |
現在-コレクター((最高) IC): |
NA |
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高): |
NA |
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC: |
NA |
現在-コレクターの締切り(最高): |
NA |
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce: |
NA |
パワー - マックス: |
NA |
頻度-転移: |
NA |
パッケージ/ケース: |
NA |
抵抗器-基盤(R1): |
NA |
抵抗器-エミッターの基盤(R2): |
NA |
FETタイプ: |
NA |
FETの特徴: |
標準 |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
NA |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
NA |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
NA |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
NA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: |
NA |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: |
NA |
頻度: |
NA |
定位電流 (アンプ): |
NA |
騒音数: |
NA |
電力 - 輸出: |
NA |
定数電圧: |
NA |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): |
NA |
Vgs (最大): |
NA |
IGBTのタイプ: |
NA |
構成: |
標準 |
Vce () (最高) @ Vge、IC: |
NA |
入れられたキャパシタンス(Cies) @ Vce: |
NA |
インプット: |
NA |
NTC サーミストール: |
NA |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
NA |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
NA |
現在の下水管(ID最高) -: |
NA |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
NA |
抵抗- RDS (): |
NA |
電圧: |
NA |
電圧-出力: |
NA |
電圧-オフセット(Vt): |
NA |
陽極漏出(Igao)に現在-ゲート: |
NA |
現在-谷(iv): |
NA |
現在-ピーク: |
NA |
申請: |
NA |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
タイプ: |
IC CHIP,トリオードトランジスタ,IGBTトランジスタ,トリオードトランジスタ |
動作温度: |
NA |
シリーズ: |
標準 |
マウントタイプ: |
標準 |
記述: |
IRF4905PBF |
D/C: |
最も新しい |
パッケージの種類: |
穴中 |
適用する: |
MOSFET |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
NA |
入手可能なメディア: |
データ用紙 |
ブランド: |
NA |
現在-コレクター((最高) IC): |
NA |
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高): |
NA |
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC: |
NA |
現在-コレクターの締切り(最高): |
NA |
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce: |
NA |
パワー - マックス: |
NA |
頻度-転移: |
NA |
パッケージ/ケース: |
NA |
抵抗器-基盤(R1): |
NA |
抵抗器-エミッターの基盤(R2): |
NA |
FETタイプ: |
NA |
FETの特徴: |
標準 |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
NA |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
NA |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
NA |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
NA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs: |
NA |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: |
NA |
頻度: |
NA |
定位電流 (アンプ): |
NA |
騒音数: |
NA |
電力 - 輸出: |
NA |
定数電圧: |
NA |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds): |
NA |
Vgs (最大): |
NA |
IGBTのタイプ: |
NA |
構成: |
標準 |
Vce () (最高) @ Vge、IC: |
NA |
入れられたキャパシタンス(Cies) @ Vce: |
NA |
インプット: |
NA |
NTC サーミストール: |
NA |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
NA |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
NA |
現在の下水管(ID最高) -: |
NA |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
NA |
抵抗- RDS (): |
NA |
電圧: |
NA |
電圧-出力: |
NA |
電圧-オフセット(Vt): |
NA |
陽極漏出(Igao)に現在-ゲート: |
NA |
現在-谷(iv): |
NA |
現在-ピーク: |
NA |
申請: |
NA |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
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