製品詳細
起源の場所: 広東,中国
ブランド名: original
モデル番号: MBRS540T3G
支払及び船積みの言葉
最小注文数量: 10個
価格: $1.00/pieces >=10 pieces
パッケージの詳細: 帯電防止包装
供給の能力: 週に10000枚
タイプ: |
他の,双極結合トランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
- |
シリーズ: |
標準 |
マウントタイプ: |
表面マウント |
記述: |
/ |
D/C: |
22+ |
パッケージの種類: |
表面マウント |
適用する: |
ディオード・ショットキー |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
標準 |
入手可能なメディア: |
ほか |
ブランド: |
ディオード・ショットキー 40V 5A |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
- |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
- |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
- |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
- |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
- |
パワー - マックス: |
- |
頻度-転移: |
- |
パッケージ/ケース: |
/ |
抵抗器-基盤（R1）: |
/ |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
/ |
FETタイプ: |
/ |
FETの特徴: |
標準 |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
/ |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
/ |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
/ |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
/ |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
/ |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
/ |
頻度: |
/ |
定位電流 (アンプ): |
/ |
騒音数: |
/ |
電力 - 輸出: |
/ |
定数電圧: |
/ |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
/ |
Vgs (最大): |
/ |
IGBTのタイプ: |
/ |
構成: |
標準 |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
/ |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
/ |
インプット: |
/ |
NTC サーミストール: |
// |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
/ |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
/ |
現在の下水管（ID最高） -: |
/ |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
/ |
抵抗- RDS （）: |
/ |
電圧: |
/ |
電圧-出力: |
/ |
電圧-オフセット（Vt）: |
/ |
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
/ |
現在-谷（iv）: |
/ |
現在-ピーク: |
/ |
申請: |
/ |
トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
シェンゼン |
タイプ: |
他の,双極結合トランジスタ,IGBTトランジスタ |
動作温度: |
- |
シリーズ: |
標準 |
マウントタイプ: |
表面マウント |
記述: |
/ |
D/C: |
22+ |
パッケージの種類: |
表面マウント |
適用する: |
ディオード・ショットキー |
供給者の種類: |
ほか |
クロス参照: |
標準 |
入手可能なメディア: |
ほか |
ブランド: |
ディオード・ショットキー 40V 5A |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
- |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
- |
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC: |
- |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
- |
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce: |
- |
パワー - マックス: |
- |
頻度-転移: |
- |
パッケージ/ケース: |
/ |
抵抗器-基盤（R1）: |
/ |
抵抗器-エミッターの基盤（R2）: |
/ |
FETタイプ: |
/ |
FETの特徴: |
標準 |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
/ |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C: |
/ |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs: |
/ |
Vgs(th) (最大) @ Id: |
/ |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: |
/ |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: |
/ |
頻度: |
/ |
定位電流 (アンプ): |
/ |
騒音数: |
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電力 - 輸出: |
/ |
定数電圧: |
/ |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）: |
/ |
Vgs (最大): |
/ |
IGBTのタイプ: |
/ |
構成: |
標準 |
Vce （） （最高） @ Vge、IC: |
/ |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
/ |
インプット: |
/ |
NTC サーミストール: |
// |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
/ |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
/ |
現在の下水管（ID最高） -: |
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電圧-締切り（VGS） @ ID: |
/ |
抵抗- RDS （）: |
/ |
電圧: |
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電圧-出力: |
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電圧-オフセット（Vt）: |
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陽極漏出（Igao）に現在-ゲート: |
/ |
現在-谷（iv）: |
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現在-ピーク: |
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申請: |
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トランジスタタイプ: |
mrf150 rf パワートランジスタ |
港: |
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