| カテゴリー: | 離散半導体製品
トランジスタ
JFET | FETタイプ: | Nチャンネル | 製品状況: | 時代遅れ | 電圧-故障(V (BR) GSS): | 35V | Mounting Type: | スルーホール | パッケージ: | 総量 | シリーズ: | - | 現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): | 25mA @ 20V | Mfr: | 単体 | 供給者のデバイスパッケージ: | TO-92 (TO-226) | パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 長い体 | パワー - マックス: | 310 MW | 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 10pF @ 12V (VGS) | 抵抗- RDS (): | 60オーム | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V | 基本製品番号: | 2N5639 | 動作温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) | 
| カテゴリー: | 離散半導体製品
トランジスタ
JFET | 
| FETタイプ: | Nチャンネル | 
| 製品状況: | 時代遅れ | 
| 電圧-故障(V (BR) GSS): | 35V | 
| Mounting Type: | スルーホール | 
| パッケージ: | 総量 | 
| シリーズ: | - | 
| 現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): | 25mA @ 20V | 
| Mfr: | 単体 | 
| 供給者のデバイスパッケージ: | TO-92 (TO-226) | 
| パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 長い体 | 
| パワー - マックス: | 310 MW | 
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 10pF @ 12V (VGS) | 
| 抵抗- RDS (): | 60オーム | 
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V | 
| 基本製品番号: | 2N5639 | 
| 動作温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |