カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
テープ&ロール (TR) |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
4mA @ 10V |
Mfr: |
一半 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
5V @ 0.5nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-23-3 (TO-236) |
パッケージ/ケース: |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
5pF @ 10V |
パワー - マックス: |
225mW |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
25V |
基本製品番号: |
BFR30 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
時代遅れ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
テープ&ロール (TR) |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
4mA @ 10V |
Mfr: |
一半 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
5V @ 0.5nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-23-3 (TO-236) |
パッケージ/ケース: |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
5pF @ 10V |
パワー - マックス: |
225mW |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
25V |
基本製品番号: |
BFR30 |