logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

SMMBFJ175LT1G

製品詳細

支払及び船積みの言葉

記述: JFET P-CH 30V SOT23-3

お問い合わせ
ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ JFET
FETタイプ:
P-Channel
製品の状況:
アクティブ
電圧-故障(V (BR) GSS):
30V
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ:
自動車,AEC-Q101
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0):
7mA @ 15V
Mfr:
一半
電圧-締切り(VGS) @ ID:
3V @ 10nA
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
パワー - マックス:
225mW
抵抗- RDS ():
125オーム
基本製品番号:
SMMBFJ175
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ JFET
FETタイプ:
P-Channel
製品の状況:
アクティブ
電圧-故障(V (BR) GSS):
30V
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ:
自動車,AEC-Q101
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0):
7mA @ 15V
Mfr:
一半
電圧-締切り(VGS) @ ID:
3V @ 10nA
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
パワー - マックス:
225mW
抵抗- RDS ():
125オーム
基本製品番号:
SMMBFJ175
SMMBFJ175LT1G
JFETのP-Channel 30 V 225 MWの表面の台紙SOT-23-3 (TO-236)