カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
40V |
Mounting Type: |
スルーホール |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
50mA @ 15V |
Mfr: |
NTEエレクトロニクス |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
4V @ 500 pA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-218 |
パッケージ/ケース: |
TO-218-3 |
パワー - マックス: |
360 MW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
18pF @ 10V |
抵抗- RDS (): |
25オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
40V |
動作温度: |
- |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
40V |
Mounting Type: |
スルーホール |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
50mA @ 15V |
Mfr: |
NTEエレクトロニクス |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
4V @ 500 pA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-218 |
パッケージ/ケース: |
TO-218-3 |
パワー - マックス: |
360 MW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
18pF @ 10V |
抵抗- RDS (): |
25オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
40V |
動作温度: |
- |