カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
30V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
2mA @ 15V |
Mfr: |
NTEの電子工学、株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
6 V @ 100 pA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-72 |
現在の下水管(ID最高) -: |
15mA |
パワー - マックス: |
300mW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
6pF @ 15V |
抵抗- RDS (): |
400オーム |
パッケージ/ケース: |
TO-206AF,TO-72-4 メタル缶 |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
30V |
動作温度: |
175°C (TJ) |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
30V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
2mA @ 15V |
Mfr: |
NTEの電子工学、株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
6 V @ 100 pA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-72 |
現在の下水管(ID最高) -: |
15mA |
パワー - マックス: |
300mW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
6pF @ 15V |
抵抗- RDS (): |
400オーム |
パッケージ/ケース: |
TO-206AF,TO-72-4 メタル缶 |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
30V |
動作温度: |
175°C (TJ) |