カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
35V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
20mA @ 15V |
Mfr: |
NTEの電子工学、株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
3V @ 1A |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
パワー - マックス: |
625 MW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
- |
抵抗- RDS (): |
30オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
35V |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
35V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
20mA @ 15V |
Mfr: |
NTEの電子工学、株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
3V @ 1A |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
パワー - マックス: |
625 MW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
- |
抵抗- RDS (): |
30オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
35V |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |