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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

MMBFJ177LT1G

製品詳細

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記述: JFET P-CH 30V SOT23-3

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ JFET
FETタイプ:
P-Channel
製品の状況:
アクティブ
電圧-故障(V (BR) GSS):
30V
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ:
-
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Mfr:
一半
電圧-締切り(VGS) @ ID:
800 mV @ 10 nA
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
パワー - マックス:
225mW
抵抗- RDS ():
300オーム
基本製品番号:
MMBFJ177
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ JFET
FETタイプ:
P-Channel
製品の状況:
アクティブ
電圧-故障(V (BR) GSS):
30V
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ:
-
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Mfr:
一半
電圧-締切り(VGS) @ ID:
800 mV @ 10 nA
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
パワー - マックス:
225mW
抵抗- RDS ():
300オーム
基本製品番号:
MMBFJ177
MMBFJ177LT1G
JFETのP-Channel 30 V 225 MWの表面の台紙SOT-23-3 (TO-236)