カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
40V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
25mA @ 20V |
Mfr: |
中央半導体株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
2V @ 1nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-18 |
パッケージ/ケース: |
TO-206AAはのTO-18-3金属できる |
動作温度: |
-65°C~175°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
14pF @ 20V |
パワー - マックス: |
1.8 W |
抵抗- RDS (): |
60オーム |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
40V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
25mA @ 20V |
Mfr: |
中央半導体株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
2V @ 1nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-18 |
パッケージ/ケース: |
TO-206AAはのTO-18-3金属できる |
動作温度: |
-65°C~175°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
14pF @ 20V |
パワー - マックス: |
1.8 W |
抵抗- RDS (): |
60オーム |