カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
P-Channel |
製品の状況: |
時代遅れ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
40V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1mA @ 15V |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92 (TO-226) |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
750 mV @ 1 μA |
パワー - マックス: |
350 MW |
Mfr: |
一半 |
動作温度: |
-65°C ~ 135°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
7pF @ 15V |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 長い体 |
基本製品番号: |
2N5460 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
P-Channel |
製品の状況: |
時代遅れ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
40V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1mA @ 15V |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92 (TO-226) |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
750 mV @ 1 μA |
パワー - マックス: |
350 MW |
Mfr: |
一半 |
動作温度: |
-65°C ~ 135°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
7pF @ 15V |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 長い体 |
基本製品番号: |
2N5460 |