製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: JFET N-CH 30V UB
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
30V |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
軍事,MIL-PRF-19500/385 |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
50mA @ 15V |
Mfr: |
マイクロチップ技術 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
4V @ 500 pA |
供給者のデバイスパッケージ: |
UB |
パッケージ/ケース: |
3-SMD 鉛なし |
パワー - マックス: |
360 MW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
18pF @ 10V |
抵抗- RDS （）: |
25オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
30V |
動作温度: |
-65°C | 200°C （TJ） |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
30V |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
軍事,MIL-PRF-19500/385 |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
50mA @ 15V |
Mfr: |
マイクロチップ技術 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
4V @ 500 pA |
供給者のデバイスパッケージ: |
UB |
パッケージ/ケース: |
3-SMD 鉛なし |
パワー - マックス: |
360 MW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
18pF @ 10V |
抵抗- RDS （）: |
25オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
30V |
動作温度: |
-65°C | 200°C （TJ） |
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