カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
時代遅れ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
20V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
テープと箱 (TB) |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
100 μA @ 5V |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92-3 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
600 mV @ 1 μA |
現在の下水管(ID最高) -: |
1mA |
Mfr: |
一半 |
動作温度: |
150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
3.5pF @ 5V |
パワー - マックス: |
150 MW |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)は鉛を形作った |
基本製品番号: |
FJN598 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
時代遅れ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
20V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
テープと箱 (TB) |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
100 μA @ 5V |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92-3 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
600 mV @ 1 μA |
現在の下水管(ID最高) -: |
1mA |
Mfr: |
一半 |
動作温度: |
150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
3.5pF @ 5V |
パワー - マックス: |
150 MW |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)は鉛を形作った |
基本製品番号: |
FJN598 |