製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: JFET P-CH 30V TO92
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
P-Channel |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
30V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
20mA @ 15V |
Mfr: |
NTEの電子工学、株式会社 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
5V @ 10nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
5.5pF @ 10V |
パワー - マックス: |
350 MW |
抵抗- RDS （）: |
85オーム |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
P-Channel |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
30V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
20mA @ 15V |
Mfr: |
NTEの電子工学、株式会社 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
5V @ 10nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
5.5pF @ 10V |
パワー - マックス: |
350 MW |
抵抗- RDS （）: |
85オーム |
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