製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: JFET N-CH 25V TO106
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
25V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
500 μA @ 15 V |
Mfr: |
NTEの電子工学、株式会社 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
6.5V @ 1nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-106 |
パッケージ/ケース: |
TO-106-3 ドーム式 |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
- |
パワー - マックス: |
300mW |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
25V |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
25V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
バッグ |
シリーズ: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
500 μA @ 15 V |
Mfr: |
NTEの電子工学、株式会社 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
6.5V @ 1nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-106 |
パッケージ/ケース: |
TO-106-3 ドーム式 |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
- |
パワー - マックス: |
300mW |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
25V |
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