カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
P-Channel |
製品状況: |
時代遅れ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
30V |
Mounting Type: |
スルーホール |
パッケージ: |
テープと箱 (TB) |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
7mA @ 15V |
Mfr: |
単体 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
3V @ 10nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92-3 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)は鉛を形作った |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
- |
パワー - マックス: |
350 MW |
抵抗- RDS (): |
125オーム |
基本製品番号: |
J175 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
P-Channel |
製品状況: |
時代遅れ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
30V |
Mounting Type: |
スルーホール |
パッケージ: |
テープと箱 (TB) |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
7mA @ 15V |
Mfr: |
単体 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
3V @ 10nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92-3 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)は鉛を形作った |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
- |
パワー - マックス: |
350 MW |
抵抗- RDS (): |
125オーム |
基本製品番号: |
J175 |