製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: JFET N-CH 40V 1=20PCS
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品状況: |
時代遅れ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
40V |
Mounting Type: |
表面マウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
5mA @ 20V |
Mfr: |
中央半導体株式会社 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
500 mV @ 1 nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
死ぬ |
現在の下水管（ID最高） -: |
50 mA |
パワー - マックス: |
1.8 W |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
14pF @ 20V |
抵抗- RDS （）: |
100オーム |
パッケージ/ケース: |
死ぬ |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
40V |
動作温度: |
-65°C~175°C (TJ) |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品状況: |
時代遅れ |
電圧-故障（V （BR） GSS）: |
40V |
Mounting Type: |
表面マウント |
パッケージ: |
トレー |
シリーズ: |
- |
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0）: |
5mA @ 20V |
Mfr: |
中央半導体株式会社 |
電圧-締切り（VGS） @ ID: |
500 mV @ 1 nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
死ぬ |
現在の下水管（ID最高） -: |
50 mA |
パワー - マックス: |
1.8 W |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
14pF @ 20V |
抵抗- RDS （）: |
100オーム |
パッケージ/ケース: |
死ぬ |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
40V |
動作温度: |
-65°C~175°C (TJ) |
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