カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
25V |
Mounting Type: |
スルーホール |
パッケージ: |
総量 |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1mA @ 15V |
Mfr: |
中央半導体株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
500 mV @ 10 nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92-3 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
動作温度: |
-65°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
7pF @ 15V |
パワー - マックス: |
310 MW |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
25V |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
25V |
Mounting Type: |
スルーホール |
パッケージ: |
総量 |
シリーズ: |
- |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1mA @ 15V |
Mfr: |
中央半導体株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
500 mV @ 10 nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92-3 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
動作温度: |
-65°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
7pF @ 15V |
パワー - マックス: |
310 MW |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
25V |