カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
P-Channel |
製品状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
30V |
Mounting Type: |
スルーホール |
パッケージ: |
総量 |
シリーズ: |
J177 |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1.5 mA @ 15 V |
Mfr: |
線形統合システム株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
800 mV @ 10 nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
動作温度: |
-55°C ~ 135°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
- |
パワー - マックス: |
350 MW |
抵抗- RDS (): |
300オーム |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
P-Channel |
製品状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
30V |
Mounting Type: |
スルーホール |
パッケージ: |
総量 |
シリーズ: |
J177 |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1.5 mA @ 15 V |
Mfr: |
線形統合システム株式会社 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
800 mV @ 10 nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-92 |
パッケージ/ケース: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
動作温度: |
-55°C ~ 135°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
- |
パワー - マックス: |
350 MW |
抵抗- RDS (): |
300オーム |