カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
ストライプ |
シリーズ: |
IF1320 |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
10mA @ 10V |
Mfr: |
インターFET |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
1.1 V @ 0.5 nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-23-3 |
パッケージ/ケース: |
SOT-23-3 |
パワー - マックス: |
350 MW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
15pF @ 10V |
抵抗- RDS (): |
50オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
20V |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
ストライプ |
シリーズ: |
IF1320 |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
10mA @ 10V |
Mfr: |
インターFET |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
1.1 V @ 0.5 nA |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-23-3 |
パッケージ/ケース: |
SOT-23-3 |
パワー - マックス: |
350 MW |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
15pF @ 10V |
抵抗- RDS (): |
50オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
20V |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |