| カテゴリー: | 離散半導体製品
トランジスタ
JFET | FETタイプ: | Nチャンネル | 製品状況: | アクティブ | Mounting Type: | 表面マウント | パッケージ: | ストライプ | シリーズ: | IF170 | 現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): | 14mA @ 10V | Mfr: | インターFET | 電圧-締切り(VGS) @ ID: | 1.2 V @ 1 nA | 供給者のデバイスパッケージ: | SOT-23-3 | パッケージ/ケース: | SOT-23-3 | パワー - マックス: | 350 MW | 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 15pF @ 10V | 抵抗- RDS (): | 42オーム | 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V | 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| カテゴリー: | 離散半導体製品
トランジスタ
JFET | 
| FETタイプ: | Nチャンネル | 
| 製品状況: | アクティブ | 
| Mounting Type: | 表面マウント | 
| パッケージ: | ストライプ | 
| シリーズ: | IF170 | 
| 現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): | 14mA @ 10V | 
| Mfr: | インターFET | 
| 電圧-締切り(VGS) @ ID: | 1.2 V @ 1 nA | 
| 供給者のデバイスパッケージ: | SOT-23-3 | 
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 | 
| パワー - マックス: | 350 MW | 
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: | 15pF @ 10V | 
| 抵抗- RDS (): | 42オーム | 
| 流出電圧から源電圧 (Vdss): | 30V | 
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |