カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
ストライプ |
シリーズ: |
IFN160 |
パッケージ/ケース: |
SOT-23-3 |
Mfr: |
インターFET |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
600 mV @ 10 μA |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-23-3 |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
パワー - マックス: |
350 MW |
抵抗- RDS (): |
440 オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
50V |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
Nチャンネル |
製品の状況: |
アクティブ |
マウントタイプ: |
表面マウント |
パッケージ: |
ストライプ |
シリーズ: |
IFN160 |
パッケージ/ケース: |
SOT-23-3 |
Mfr: |
インターFET |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
600 mV @ 10 μA |
供給者のデバイスパッケージ: |
SOT-23-3 |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
パワー - マックス: |
350 MW |
抵抗- RDS (): |
440 オーム |
流出電圧から源電圧 (Vdss): |
50V |