カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
2 N-Channel (二重) |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
60V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
LS845 |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1.5 mA @ 15 V |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-71 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
1V @ 1nA |
パワー - マックス: |
400mW |
Mfr: |
線形統合システム株式会社 |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
8pF @ 15V |
パッケージ/ケース: |
TO-71-6金属はできる |
カテゴリー: |
離散半導体製品
トランジスタ
JFET |
FETタイプ: |
2 N-Channel (二重) |
製品の状況: |
アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): |
60V |
マウントタイプ: |
穴を抜ける |
パッケージ: |
散装品 |
シリーズ: |
LS845 |
現在-下水管(Idss) @ Vds (Vgs=0): |
1.5 mA @ 15 V |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-71 |
電圧-締切り(VGS) @ ID: |
1V @ 1nA |
パワー - マックス: |
400mW |
Mfr: |
線形統合システム株式会社 |
動作温度: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds: |
8pF @ 15V |
パッケージ/ケース: |
TO-71-6金属はできる |