製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: PM-DIOD-SIC-SBD-D1P
カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
ダイオード配列 |
製品状況: |
アクティブ |
電流 - 調整された平均 (Io) (ダイオードあたり): |
200A |
動作温度 - 交差点: |
-40℃～175℃ |
ストレージ - 前向き (Vf) (最大): |
1.8V @ 200A |
パッケージ: |
箱 |
シリーズ: |
- |
ダイオード配置: |
1 パアシリーズ接続 |
供給者のデバイスパッケージ: |
D1P |
逆回復時間 (trr): |
0 ン |
Mfr: |
マイクロチップ技術 |
テクノロジー: |
SiC （炭化ケイ素）ショットキー |
パッケージ/ケース: |
モジュール |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
700ボルト |
Mounting Type: |
シャーシマウント |
スピード: |
回復時間 > 500mA (Io) |
基本製品番号: |
MSCDC200 |
電流 - 逆流出 @ Vr: |
800 μA @ 700 V |
カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
ダイオード配列 |
製品状況: |
アクティブ |
電流 - 調整された平均 (Io) (ダイオードあたり): |
200A |
動作温度 - 交差点: |
-40℃～175℃ |
ストレージ - 前向き (Vf) (最大): |
1.8V @ 200A |
パッケージ: |
箱 |
シリーズ: |
- |
ダイオード配置: |
1 パアシリーズ接続 |
供給者のデバイスパッケージ: |
D1P |
逆回復時間 (trr): |
0 ン |
Mfr: |
マイクロチップ技術 |
テクノロジー: |
SiC （炭化ケイ素）ショットキー |
パッケージ/ケース: |
モジュール |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
700ボルト |
Mounting Type: |
シャーシマウント |
スピード: |
回復時間 > 500mA (Io) |
基本製品番号: |
MSCDC200 |
電流 - 逆流出 @ Vr: |
800 μA @ 700 V |
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