製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: ダイオードシールカルバイド 650V 4A TO220F
カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
シングルダイオード |
製品状況: |
アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: |
20 μA @ 650 V |
Mounting Type: |
スルーホール |
ストレージ - 前向き (Vf) (最大): |
1.6V @ 4A |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
容量 @ Vr, F: |
16pF @ 650V,1MHz |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-220F-2L |
逆回復時間 (trr): |
0 ン |
Mfr: |
トシバ半導体およびストレージ |
テクノロジー: |
SiC （炭化ケイ素）ショットキー |
動作温度 - 交差点: |
175°C （最高） |
パッケージ/ケース: |
TO-220-2完全なパック |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
650ボルト |
電流 - 調整された平均 (Io): |
4a |
スピード: |
回復時間 > 500mA (Io) |
基本製品番号: |
TRS4A65 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
シングルダイオード |
製品状況: |
アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: |
20 μA @ 650 V |
Mounting Type: |
スルーホール |
ストレージ - 前向き (Vf) (最大): |
1.6V @ 4A |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
- |
容量 @ Vr, F: |
16pF @ 650V,1MHz |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-220F-2L |
逆回復時間 (trr): |
0 ン |
Mfr: |
トシバ半導体およびストレージ |
テクノロジー: |
SiC （炭化ケイ素）ショットキー |
動作温度 - 交差点: |
175°C （最高） |
パッケージ/ケース: |
TO-220-2完全なパック |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
650ボルト |
電流 - 調整された平均 (Io): |
4a |
スピード: |
回復時間 > 500mA (Io) |
基本製品番号: |
TRS4A65 |
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