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S4PD-M3/87A

製品詳細

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記述: ダイオード・ゲンPURP 200V 4A〜277A

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
10 μA @ 200 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.1V @ 4A
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
eSMP®
容量 @ Vr, F:
30pF @ 4V、1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
TO-277A (SMPC)
逆回復時間 (trr):
2.5 μs
Mfr:
ヴィシェイ・ジェネラル・セミコンダクター - ダイオード部門
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 150°C
パッケージ/ケース:
TO-277,3-PowerDFN
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
200V
電流 - 調整された平均 (Io):
4a
スピード:
標準復元 > 500ns, > 200mA (Io)
基本製品番号:
S4P
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
10 μA @ 200 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.1V @ 4A
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
eSMP®
容量 @ Vr, F:
30pF @ 4V、1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
TO-277A (SMPC)
逆回復時間 (trr):
2.5 μs
Mfr:
ヴィシェイ・ジェネラル・セミコンダクター - ダイオード部門
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 150°C
パッケージ/ケース:
TO-277,3-PowerDFN
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
200V
電流 - 調整された平均 (Io):
4a
スピード:
標準復元 > 500ns, > 200mA (Io)
基本製品番号:
S4P
S4PD-M3/87A
ダイオード200V4A 表面マウントTO-277A (SMPC)