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CDBDSC8650-G

製品詳細

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記述: ダイオード SiC 650V 25.5A DPAK

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
100 µA @ 650ボルト
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.7V @ 8A
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
550pF @ 0V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
DPAK
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
コムチップ技術
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
650ボルト
電流 - 調整された平均 (Io):
25.5A
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
基本製品番号:
CDBDSC8650
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
100 µA @ 650ボルト
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.7V @ 8A
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
550pF @ 0V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
DPAK
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
コムチップ技術
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
650ボルト
電流 - 調整された平均 (Io):
25.5A
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
基本製品番号:
CDBDSC8650
CDBDSC8650-G
ダイオード 650 V 25.5A 表面マウント DPAK