カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
シングルダイオード |
製品状況: |
アクティブ |
動作温度 - 交差点: |
-55°C ~ 175°C |
Mounting Type: |
表面マウント |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
SiC スコットキー MPSTM |
容量 @ Vr, F: |
735pF @ 1V, 1MHz |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-263-7 |
Mfr: |
ジーンシック・セミコンダクター |
テクノロジー: |
SiC (炭化ケイ素)ショットキー |
パッケージ/ケース: |
TO-263-8のDの²朴(7つの鉛+タブ)、TO-263CA |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
650ボルト |
電流 - 調整された平均 (Io): |
51A |
スピード: |
回復時間 > 500mA (Io) |
基本製品番号: |
GD30MPS06 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
シングルダイオード |
製品状況: |
アクティブ |
動作温度 - 交差点: |
-55°C ~ 175°C |
Mounting Type: |
表面マウント |
パッケージ: |
トューブ |
シリーズ: |
SiC スコットキー MPSTM |
容量 @ Vr, F: |
735pF @ 1V, 1MHz |
供給者のデバイスパッケージ: |
TO-263-7 |
Mfr: |
ジーンシック・セミコンダクター |
テクノロジー: |
SiC (炭化ケイ素)ショットキー |
パッケージ/ケース: |
TO-263-8のDの²朴(7つの鉛+タブ)、TO-263CA |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
650ボルト |
電流 - 調整された平均 (Io): |
51A |
スピード: |
回復時間 > 500mA (Io) |
基本製品番号: |
GD30MPS06 |