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GE04MPS06E

製品詳細

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記述: ダイオード シル カーブ 650V 11A TO252-2

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
Digi-Keyで発売中止
電流 - 逆流出 @ Vr:
5 μA @ 650 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.35V @ 4A
パッケージ:
切りなさいテープ(CT)を Digi-Reel®
シリーズ:
SiC スコットキー MPSTM
容量 @ Vr, F:
186pF @ 1V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
TO-252-2
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
ジーンシック・セミコンダクター
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
650ボルト
電流 - 調整された平均 (Io):
11A
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
Digi-Keyで発売中止
電流 - 逆流出 @ Vr:
5 μA @ 650 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.35V @ 4A
パッケージ:
切りなさいテープ(CT)を Digi-Reel®
シリーズ:
SiC スコットキー MPSTM
容量 @ Vr, F:
186pF @ 1V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
TO-252-2
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
ジーンシック・セミコンダクター
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
TO-252-3,DPak (2リード+タブ),SC-63
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
650ボルト
電流 - 調整された平均 (Io):
11A
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
GE04MPS06E
ダイオード 650 V 11A 表面マウント TO-252-2