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VS-10ETF02STRL-M3

製品詳細

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記述: ダイオード・ゲンPURP 200V 10A TO263AB

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
100 μA @ 200 V
マウントタイプ:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.2V @ 10A
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
-
供給者のデバイスパッケージ:
TO-263AB (D2PAK)
逆回復時間 (trr):
200 ns
Mfr:
ヴィシェイ・ジェネラル・セミコンダクター - ダイオード部門
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-40°C ~ 150°C
パッケージ/ケース:
TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
200V
電流 - 調整された平均 (Io):
10A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
基本製品番号:
10ETF02
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
100 μA @ 200 V
マウントタイプ:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.2V @ 10A
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
-
供給者のデバイスパッケージ:
TO-263AB (D2PAK)
逆回復時間 (trr):
200 ns
Mfr:
ヴィシェイ・ジェネラル・セミコンダクター - ダイオード部門
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-40°C ~ 150°C
パッケージ/ケース:
TO-263-3,D2Pak (2リード+タブ),TO-263AB
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
200V
電流 - 調整された平均 (Io):
10A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
基本製品番号:
10ETF02
VS-10ETF02STRL-M3
ディオード200V10A 表面マウント TO-263AB (D2PAK)