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WNSC04650T6J

製品詳細

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記述: ダイオードシールカルバイド 650V 4A 5DFN

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
最後の買い物
電流 - 逆流出 @ Vr:
25 μA @ 650 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.7V @ 4A
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
141pF @ 1V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
5-DFN (8x8)
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
WeEnの半導体
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
175°C (最高)
パッケージ/ケース:
4-VSFN露出パッド
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
650ボルト
電流 - 調整された平均 (Io):
4a
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
基本製品番号:
WNSC0
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
最後の買い物
電流 - 逆流出 @ Vr:
25 μA @ 650 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.7V @ 4A
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
141pF @ 1V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
5-DFN (8x8)
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
WeEnの半導体
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
175°C (最高)
パッケージ/ケース:
4-VSFN露出パッド
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
650ボルト
電流 - 調整された平均 (Io):
4a
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
基本製品番号:
WNSC0
WNSC04650T6J
ダイオード 650 V 4A 表面マウント 5-DFN (8x8)