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GC02MPS12-220

製品詳細

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記述: ダイオード SiC 1.2KV 12A TO220-2

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
2 μA @ 1200 V
マウントタイプ:
穴を抜ける
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.8V @ 2A
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
SiC スコットキー MPSTM
容量 @ Vr, F:
127pF @ 1V、1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220-2
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
ジーンシック・セミコンダクター
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
TO-220-2
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
1200V
電流 - 調整された平均 (Io):
12A
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
基本製品番号:
GC02MPS12
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
2 μA @ 1200 V
マウントタイプ:
穴を抜ける
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.8V @ 2A
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
SiC スコットキー MPSTM
容量 @ Vr, F:
127pF @ 1V、1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
TO-220-2
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
ジーンシック・セミコンダクター
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
TO-220-2
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
1200V
電流 - 調整された平均 (Io):
12A
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
基本製品番号:
GC02MPS12
GC02MPS12-220
ディオード 1200 V 12A トー-220-2の穴を通る