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SICAC0860P-TP

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カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
36 μA @ 650 V
マウントタイプ:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.6V @ 8A
パッケージ:
総量
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
346pF @ 0V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
DFN5060
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
マイクロ・コマーシャル
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
8-PowerTDFN
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
650ボルト
電流 - 調整された平均 (Io):
8A
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
基本製品番号:
SICAC0860
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
36 μA @ 650 V
マウントタイプ:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.6V @ 8A
パッケージ:
総量
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
346pF @ 0V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
DFN5060
逆回復時間 (trr):
0 ン
Mfr:
マイクロ・コマーシャル
テクノロジー:
SiC (炭化ケイ素)ショットキー
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
8-PowerTDFN
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
650ボルト
電流 - 調整された平均 (Io):
8A
スピード:
回復時間 > 500mA (Io)
基本製品番号:
SICAC0860
SICAC0860P-TP
ダイオード 650 V 8A 表面マウント DFN5060