製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: ダイオード GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF
カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
シングルダイオード |
製品状況: |
アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: |
1 μA @ 200V |
マウントタイプ: |
表面マウント |
ストレージ - 前向き (Vf) (最大): |
1.2V @ 9A |
パッケージ: |
総量 |
シリーズ: |
軍用,MIL-PRF-19500/420 |
容量 @ Vr, F: |
- |
供給者のデバイスパッケージ: |
B,SQ-MELF |
逆回復時間 (trr): |
2 μs |
Mfr: |
マイクロチップ技術 |
テクノロジー: |
スタンダード |
動作温度 - 交差点: |
-65°C~175°C |
パッケージ/ケース: |
SQ-MELF,B |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
200V |
電流 - 調整された平均 (Io): |
3A |
スピード: |
標準復元 > 500ns, > 200mA (Io) |
カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
シングルダイオード |
製品状況: |
アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: |
1 μA @ 200V |
マウントタイプ: |
表面マウント |
ストレージ - 前向き (Vf) (最大): |
1.2V @ 9A |
パッケージ: |
総量 |
シリーズ: |
軍用,MIL-PRF-19500/420 |
容量 @ Vr, F: |
- |
供給者のデバイスパッケージ: |
B,SQ-MELF |
逆回復時間 (trr): |
2 μs |
Mfr: |
マイクロチップ技術 |
テクノロジー: |
スタンダード |
動作温度 - 交差点: |
-65°C~175°C |
パッケージ/ケース: |
SQ-MELF,B |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
200V |
電流 - 調整された平均 (Io): |
3A |
スピード: |
標準復元 > 500ns, > 200mA (Io) |
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