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JAN1N6622US/TR

製品詳細

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記述: ダイオードGENP PURP 660V 1.2A D-5A

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
500 nA @ 660 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.4V @ 1.2A
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
軍事,MIL-PRF-19500/585
容量 @ Vr, F:
10pF @ 10V,1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
D-5A
逆回復時間 (trr):
30 ns
Mfr:
マイクロチップ技術
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-65°C ~ 150°C
パッケージ/ケース:
SQ-MELF,A
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
660V
電流 - 調整された平均 (Io):
1.2A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
500 nA @ 660 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.4V @ 1.2A
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
軍事,MIL-PRF-19500/585
容量 @ Vr, F:
10pF @ 10V,1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
D-5A
逆回復時間 (trr):
30 ns
Mfr:
マイクロチップ技術
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-65°C ~ 150°C
パッケージ/ケース:
SQ-MELF,A
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
660V
電流 - 調整された平均 (Io):
1.2A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
JAN1N6622US/TR
ディオード660 V 1.2A 表面マウント D-5A