製品詳細
支払及び船積みの言葉
記述: ダイオード・ゲンPURP 1.1KV 1.4A A-MELF
カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
シングルダイオード |
製品状況: |
アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: |
4 μA @ 1100 V |
マウントタイプ: |
表面マウント |
ストレージ - 前向き (Vf) (最大): |
1.4V @ 1.4A |
パッケージ: |
総量 |
シリーズ: |
- |
容量 @ Vr, F: |
40pF @ 10V, 1MHz |
供給者のデバイスパッケージ: |
A-MELF |
逆回復時間 (trr): |
60 ns |
Mfr: |
マイクロチップ技術 |
テクノロジー: |
スタンダード |
動作温度 - 交差点: |
-65°C ~ 150°C |
パッケージ/ケース: |
SQ-MELF,A |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
1100V |
電流 - 調整された平均 (Io): |
1.4A |
スピード: |
速復 = < 500ns, > 200mA (Io) |
基本製品番号: |
1N6631 |
カテゴリー: |
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
シングルダイオード |
製品状況: |
アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: |
4 μA @ 1100 V |
マウントタイプ: |
表面マウント |
ストレージ - 前向き (Vf) (最大): |
1.4V @ 1.4A |
パッケージ: |
総量 |
シリーズ: |
- |
容量 @ Vr, F: |
40pF @ 10V, 1MHz |
供給者のデバイスパッケージ: |
A-MELF |
逆回復時間 (trr): |
60 ns |
Mfr: |
マイクロチップ技術 |
テクノロジー: |
スタンダード |
動作温度 - 交差点: |
-65°C ~ 150°C |
パッケージ/ケース: |
SQ-MELF,A |
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大): |
1100V |
電流 - 調整された平均 (Io): |
1.4A |
スピード: |
速復 = < 500ns, > 200mA (Io) |
基本製品番号: |
1N6631 |
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