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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6628US

製品詳細

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記述: ダイオード GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
2 μA @ 660 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.35V @ 2A
パッケージ:
総量
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
A-MELF
逆回復時間 (trr):
30 ns
Mfr:
マイクロチップ技術
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-65°C ~ 150°C
パッケージ/ケース:
SQ-MELF,A
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
660V
電流 - 調整された平均 (Io):
1.75A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
基本製品番号:
1N6628
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
2 μA @ 660 V
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
1.35V @ 2A
パッケージ:
総量
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
供給者のデバイスパッケージ:
A-MELF
逆回復時間 (trr):
30 ns
Mfr:
マイクロチップ技術
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-65°C ~ 150°C
パッケージ/ケース:
SQ-MELF,A
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
660V
電流 - 調整された平均 (Io):
1.75A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
基本製品番号:
1N6628
1N6628US
ディオード660 V 1.75A 表面マウント A-MELF