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UES1001SM

製品詳細

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記述: ダイオード GEN PURP 1A A SQ-MELF

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
2 μA @ 50 V
マウントタイプ:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
975 mV @ 1 A
パッケージ:
総量
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
-
供給者のデバイスパッケージ:
A,SQ-MELF
逆回復時間 (trr):
25 ns
Mfr:
マイクロチップ技術
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
SQ-MELF,A
電流 - 調整された平均 (Io):
1A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
電流 - 逆流出 @ Vr:
2 μA @ 50 V
マウントタイプ:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
975 mV @ 1 A
パッケージ:
総量
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
-
供給者のデバイスパッケージ:
A,SQ-MELF
逆回復時間 (trr):
25 ns
Mfr:
マイクロチップ技術
テクノロジー:
スタンダード
動作温度 - 交差点:
-55°C ~ 175°C
パッケージ/ケース:
SQ-MELF,A
電流 - 調整された平均 (Io):
1A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
UES1001SM
ディオード1A 表面マウントA,SQ-MELF