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JANS1N5811US

製品詳細

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記述: ダイオード GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

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ハイライト:
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
動作温度 - 交差点:
-65°C~175°C
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
875 mV @ 4 A
パッケージ:
総量
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
-
供給者のデバイスパッケージ:
B,SQ-MELF
逆回復時間 (trr):
30 ns
Mfr:
マイクロチップ技術
テクノロジー:
スタンダード
パッケージ/ケース:
SQ-MELF,B
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
150V
電流 - 調整された平均 (Io):
3A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
カテゴリー:
離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード
製品状況:
アクティブ
動作温度 - 交差点:
-65°C~175°C
Mounting Type:
表面マウント
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
875 mV @ 4 A
パッケージ:
総量
シリーズ:
-
容量 @ Vr, F:
-
供給者のデバイスパッケージ:
B,SQ-MELF
逆回復時間 (trr):
30 ns
Mfr:
マイクロチップ技術
テクノロジー:
スタンダード
パッケージ/ケース:
SQ-MELF,B
電圧 - 直流逆 (Vr) (最大):
150V
電流 - 調整された平均 (Io):
3A
スピード:
速復 = < 500ns, > 200mA (Io)
JANS1N5811US
ダイオード 150 V 3A 表面マウント B,SQ-MELF